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　TEOS-LP-CVD装置

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　装置外観

TEOS-LP-CVD装置.png

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　簡易取扱説明書

fileオープン実験棟：TEOS簡易マニュアル2014（佐野）.pdf
file170802_TEOSレートチェック.pdf

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　概要

  • 　プラズマアシストLP-CVD
  • 　TEOSによるSiO2成膜(350℃)
  • 　4インチウエハ導入可
  • 　成膜レート40nm/min程度
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    [TEOS-LP-CVD装置]
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添付ファイル: file170802_TEOSレートチェック.pdf 284件 [詳細] fileオープン実験棟：TEOS簡易マニュアル2014（佐野）.pdf 780件 [詳細] fileTEOS-LP-CVD装置.png 288件 [詳細]
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Last-modified: 2018-11-08 (木) 22:29:25 (2005d)