汎用ICP-RIE装置

　汎用ICP-RIE装置

　装置外観

　簡易取扱説明書

インキュ：ICP-RIE簡易マニュアル2014（井上）.pdf

　概要

• 　Samco製　RIE-101iPH　汎用ドライエッチング装置
• 　４インチ処理
• 　ダミーウエハへの貼り付けで異形ウエハもOK（基板He冷却）
• 　シリコン、酸化膜、メタル、PZT等対象（ロードロック付き、塩素系OK）
• 　Ar、O2、CF4/CH4/CHF3、BCl3、Cl2
• 　アンテナ1kW、プラテン500W

　その他情報

• Ar、Cl2、BCl3の設定可能なガス流量範囲
  • 　　Ar：0-200sccm
  • 　　Cl2：0-100sccm
  • 　　BCl3：0-50sccm
  • 　　（0はバルブ閉、マスフローの制御可能範囲は最大流量の2-100%）
• 圧力の設定可能範囲
  • 　　最大13.33MPa
• 基板温度の設定可能範囲
  • 　　加熱機構なし
• Antenna Power/Bias Powerの設定可能範囲
  • 　　アンテナ/バイアス=1000/300W
• 基板支持方法
  • 　　静電チャック（ジョンソン-ラーベック方式）
  • 　　絶縁物は裏面にメタル成膜するとチャックすると予想、またはSiダミーに貼り付けて処理可能
• オリフラや厚み等の基板の制限
  • 　　3t程度は問題なく搬入可能
• 処理時間の制限
  • 　制限は特になし
  • 　運用ルールとして、現在は基本的にその日の最後に1hrのクリーニングを実施

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