汎用ICP-RIE装置 の変更点

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*　汎用ICP-RIE装置 [#aeb6e834]
**　装置外観 [#cee4ec47]
&ref(./汎用ICP-RIE装置.png,50%);
**　簡易取扱説明書 [#p2e16d34]
&ref(./インキュ：ICP-RIE簡易マニュアル2014（井上）.pdf);
**　概要 [#s212667c]
-　Samco製　RIE-101iPH　汎用ドライエッチング装置
-　４インチ処理
-　ダミーウエハへの貼り付けで異形ウエハもOK（基板He冷却）
-　シリコン、酸化膜、メタル、PZT等対象（ロードロック付き、塩素系OK）
-　Ar、O2、CF4/CH4/CHF3、BCl3、Cl2
-　アンテナ1kW、プラテン500W
***　その他情報 [#i317caf2]
-Ar、Cl2、BCl3の設定可能なガス流量範囲
--　　Ar：0-200sccm
--　　Cl2：0-100sccm
--　　BCl3：0-50sccm
--　　（0はバルブ閉、マスフローの制御可能範囲は最大流量の2-100%）
-圧力の設定可能範囲
--　　最大13.33MPa
-基板温度の設定可能範囲
--　　加熱機構なし
-Antenna Power/Bias Powerの設定可能範囲
--　　アンテナ/バイアス=1000/300W
-基板支持方法（静電チャック？メカクランプ？）
-基板支持方法
--　　静電チャック（ジョンソン-ラーベック方式）
--　　絶縁物は裏面にメタル成膜するとチャックすると予想、またはSiダミーに貼り付けて処理可能
-オリフラや厚み等の基板の制限
--　　3t程度は問題なく搬入可能
-処理時間の制限
--　制限は特になし
--　運用ルールとして、現在は基本的にその日の最後に1hrのクリーニングを実施
#calendar9